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中科院(yuan)-高濃(nong)度臭(chou)氧發生器用于(yu)ALD
該臭氧發生器濃度可達300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測儀對濃度進行實時檢測。
高濃度臭氧發生器在ALD（原子層沉積）中有廣泛的應用。ALD是一種薄膜沉積技術，通過周期性的氣相反應，一層一層地沉積原子尺度的薄膜。臭氧在ALD中通常用作氧化劑，與金屬有機前體反應，形成金屬氧化物薄膜。
高濃度的臭氧發生器能夠提供更高的臭氧濃度，這對于快速且均勻地進行ALD過程至關重要。這種設備通常需要嚴格的控制和安全措施，以確保在工藝中保持穩定的氣相條件，從而獲得高質量的薄膜沉積。
標簽:臭氧發生器(61)高濃度(11)ALD(5)
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